氧化锌（ZnO）是GaN薄膜的良好衬底。它在室温下具有60 meV的大激子结合能和3.73 eV的带宽，使其成为紫外光和可见光的发光材料。由于其在可见光区域的透明性、大的机电耦合系数以及气体分子在其表面的吸附和解吸特性，有望用于高峰值能量的能量限制器、大尺寸和高质量的GaN衬底、，未来超过5GHz的无线通信、高电场设备、高温高能电子设备等。
使用/应用
用于紫外线和可见光的发光材料。
高电场设备。
高温高能电子器件。
高效半导体光电子器件、半导体光催化和稀磁半导体。
特点/优势
激子结合能高达60mev；
在可见光区域透明；
机电耦合系数大。
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参数
结构 六方 晶格常数 a=3.252Å c=5.313 Å 密度 5.7（g/cm3） 生长方法 Hydrothermal 莫氏硬度 (Mho) 4（mohs） 熔点 1975℃ 热膨胀系数 6.5 x 10-6 /℃//a 3.7 x 10-6 /℃//c 比热 0.125 cal /g.m 热电常数 1200 mv/k @ 300 ℃ 热导率 0.006 cal/cm/k 透过范围 0.4-0.6 um > 50% at 2mm
