SiC (6H-SiC,4H-SiC )
N型碳化硅衬底材料是支撑电力电子产业发展的关键材料。其优异的高压电阻、高频电阻等物理特性可广泛应用于大功率高频电子器件、电动汽车PCU、光伏逆变器、轨道交通电源控制系统等领域，并能起到减小体积简化系统、提高功率密度的作用。
可根据用户需要提供不同规格碳化硅（SiC）晶体基片。
使用/应用
N型碳化硅衬底材料是支撑电力电子产业发展的关键材料。
大功率高频电子器件、电动汽车PCU、光伏逆变器、轨道交通电源控制系统等领域。
起到减小体积简化系统和提高功率密度的作用。
特点/优势
具有耐高压、耐高频等突出的物理特性。
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参数
生长方法 籽晶升华法 ,PVT（物理气相传输） 晶体结构 六方 晶格常数 a=3.08 Å c=15.08 Å 排列次序 ABCACB 方向 生长轴或 偏<0001>3.5 º 带隙 2.93 eV (间接) 硬度 9.2（mohs） 热传导@300K 5 W/ cm.k 介电常数 e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33 尺寸 10×3，10×5，10×10，15×15，，20×15，20×20， dia2”, 15 x 15 mm,10x10mm等 厚度 0.5mm，1.0mm 抛光 单面或双面 晶向 <001>±0.5º 晶面定向精度: ±0.5° 边缘定向精度: 2°（特殊要求可达1°以内） 斜切晶片 可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片 Ra: ≤5Å（5µm×5µm） 包装 100级洁净袋，1000级超净室 -
尺寸
尺寸
5x5mm，10x10mm，15x15mm，20x20mm
Ø50.8, Ø100 mm, Ø150mm
厚度
0.33/0.35/0.5mm
可根据需求定制。
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