铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT) [Pb(Mg1/3Nb2/3)O3] (1-x)- [PbTiO3] x单晶材料作为一种新型的压电材料,具有高压电常数、大机电耦合系数、高介电常数、低损耗的特性、优异的非线性光学性能和热释电性能,尤其压电性能比普通的压电材料要提高10倍左右,使得它可以在比传统的PZT压电陶瓷有更广泛的应用领域,不仅可以满足应用需要成为新一代高性能压电换能器、非线性光学器件和光电探测器件(如红外探测器)的核心材料,而且还为广大的科研人员提供了良好的研究载体。
使用/应用
可以在比传统的PZT压电陶瓷有更广泛的应用领域,不仅可以满足应用需要成为新一代高性能压电换能器、非线性光学器件和光电探测器件(如红外探测器)的核心材料,而且还为广大的科研人员提供了良好的研究载体。
特点/优势
提高了产品的相变温度和矫顽力场。
机电耦合系数k33至0.94;场致应变s>1.7%。
d33的压电系数比PZT高4~5倍,介电损耗比PZT低1~3倍。
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参数
主要性能参数 分子式 [Pb(Mg1/3Nb2/3)O3] (1-x)- [PbTiO3] x, X=0.24-0.40 晶体结构 四方,(接近立方) 晶胞参数 a=4.024 Å (R3m) 熔点 1280℃ 生长方法 坩锅下降法(布里奇曼法) 密度 8.1 g/cm3 莫氏硬度 3.5 热膨胀系数 10.4×10-6/K 介电常数(极化)ε 4000-5500@1KHz 压电常数d33 1200-1500;1500-2000;2000-2500 pC/N 居里温度 135-150 ℃ 相变温度 50-90℃(单斜-四方相变) 电机耦合常数 K33(纵模):˃ 92%; Kt(横模):59-62%; K33(光束模式)84-88% 矫顽电场 2-2.5 kv/cm 晶向 <100>,<110>,<111> 晶向公差 ±0.3-0.5° 尺寸 5x5mm, 10x10mm, 20x20mm,Dia50.8mm 可以根据客户需求定制。
厚度 0.5-10mm 包装 100级包装袋,1000级超净间。