InAs
利用InAs单晶衬底，可以生长InAsSb/In-AsSb、InNaSb等异质结材料，制备波长为2-14μm的红外发光器件。InAs单晶衬底也可以用于外延生长AlGaSb超晶格结构材料。中红外量子级联激光器。这些红外器件在气体监测、低损耗光纤通信等领域具有良好的应用前景。此外，InAs单晶具有较高的电子迁移率，是制作霍尔器件的理想材料。作为单晶衬底，InAs材料需要具有低的位错密度、良好的晶格完整性、合适的电学参数和高的均匀性。InP单晶材料的主要生长方法是传统的液封提拉法（LEC）。
中科瑞晶根据客户需求，提供不同规格的砷化铟（InAs）晶体材料。
使用/应用
利用InAs单晶衬底，可以生长InAsSb/In-AsPSb、InNAsSb等异质结材料，制备波长为2-14μm的红外发光器件。
InAs单晶衬底也可用于外延生长AlGaSb超晶格材料和中红外量子级联激光器。
红外器件在气体监测、低损耗光纤通信等领域具有良好的应用前景。
特点/优势
InAs单晶具有较高的电子迁移率。
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参数
单晶 掺杂 导电类型 载流子浓度 cm-3
迁移率(cm2/V.s) 位错密度(cm-2) 标准基片 InAs 本征 N 5´1016 ³2´104 <5´104 Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm
InAs Sn N (5-20) ´1017 >2000 <5´104 Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm
InAs Zn P (1-20) ´1017 100-300 <5´104 Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm
InAs S N (1-10)´1017 >2000 <5´104 Φ2″×0.5mm Φ3″×0.5mm
尺寸（mm） Dia50.8×0.5mm,10×10×0.5mm、10×5×0.5mm可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底 表面粗糙度 Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子粒显微镜（AFM）检测报告抛光 单面或双面 包装 100级洁净袋，1000级超净室
