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III-V族半导体材料重要成员——磷化铟(InP)

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III-V族半导体材料重要成员——磷化铟(InP)

磷化铟,是一种无机化合物,化学式为InP,为银灰色单晶,极微溶于无机酸,主要用作半导体材料,用于光纤通讯技术,具有直接跃迁型能带结构、禁带宽度较宽,光电转换效率较高,电子迁移率高、抗辐射能力较强。

磷化铟的应用

InP是一种非常重要的III–V族半导体,由于同时具有良好的光学和电学性质,因此在光子与光电子器件应用方面展现出很强的潜在应用。磷化铟(InP)材料的应用主要有以下几个方面:

1、光伏产业方面的应用

2、激光器材料与器件

3、超晶格、量子阱材料与器件

磷化铟(InP)的纳米材料制备方法

磷化铟(InP)纳米材料的制备方法可以分为两大类,即气相法和液相法。气相法包括金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)、化学束外延(CBE)、化学气相沉积(CVD)、热蒸发法和脉冲激光沉积(PLD);液相法包括溶液-液相-固相法、溶剂热法和胶体化学法。高质量磷化铟衬底具备哪些特征?

磷化铟(InP wafer)-重要的III-V族化合物半导体材料之一,是继Si、GaAs之后的新一代电子功能材料   晶圆的载流子浓度是什么?怎么测算载流子浓度

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