GaN
氮化镓属于第三代六方纤锌矿结构半导体材料。具有禁带宽度大、导热系数高、耐高温、耐辐射、耐酸碱、强度高、硬度高等特点。在高亮度蓝、绿、紫、白光二极管、蓝、紫激光器、抗辐射、高温、高功率微波器件等领域具有广阔的应用潜力和良好的市场前景。
中科瑞晶根据客户需求提供不同规格的氮化镓（GaN）衬底基片。
使用/应用
在高亮度蓝、绿、紫、白光二极管、蓝、紫激光器、抗辐射、高温、高功率微波器件等领域具有广阔的应用潜力和良好的市场前景。
特点/优势
具有禁带宽度大、导热系数高、耐高温、耐辐射、耐酸碱、强度高、硬度高等特点。
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参数
Type Free Standing GaN Substrate GaN on Al2O3 Composite Substrate
Item No. FR-U-1010 FR-U-1015
FR-N-1010 FR-N-1015
FR-SI-1010 FR-SI-1015
FR-U-50 FR-N-50
FR-SI-50
FR-U-100 FR-N-100
GaN-CP-U-50S GaN-CP-U-100S GaN-CP-N-50S GaN-CP-N-100S
Dimensions 10.0×10.5mm2, 10.0×15mm2, Φ50.8mm, Φ100mm, customized Thickness 300 ± 25 µm, 350 ± 25 µm, 400 ± 25 µm, customized entation C-axis(0001) ± 0.25° TTV ≤15 µm BOW ≤20 µm Conduction Type N-type N-type Semi-Insulating Be customized as the left items. Resistivity(300K) <0.5 Ω·cm <0.05 Ω·cm >106 Ω·cm Dislocation Density From 1 x 105 to 3 x 106 cm-2 Useable Surface Area > 90% Polishing Front Surface: Ra < 0.2nm. Epi-ready Back Surface: Fine ground.
Package Class 100 clean bag, in single wafer containers, under a nitrogen atmosphere. -
尺寸
尺寸
10.0×10.5mm2, 10.0×15mm2, Φ50.8mm, Φ100mm, 可定制。
厚度
300 ± 25 µm, 350 ± 25 µm, 400 ± 25 µm, 可定制。
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