GaAs
砷化镓（化学式：GaAs）是由镓和砷两种元素合成的化合物。它是一种重要的IIIA族和V族复合半导体材料。
中科瑞晶根据客户需求，提供不同规格的砷化镓（GaAs）晶体材料。
使用/应用
砷化镓（GaAs）可用于制造微波集成电路、红外发光二极管、半导体激光器和太阳能电池。砷化镓常被用作III-V族半导体外延生长的基底材料，包括砷化铟镓、砷化铝镓等。
特点/优势
▪ 非常高的电子迁移率。
▪ 与硅电池相比，砷化镓电池对热相对不敏感。因此，它具有很高的热稳定性。
▪ 低噪音。
▪ 可在较宽的温度范围内工作。
▪ 效率高，抗辐射。
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参数
单晶 掺杂 导电类型 载流子浓度cm-3 位错密度cm-2 生长方法 最大尺寸
标准基片 GaAs None Si / <5×105 LEC HB
Dia3″
Dia3″×0.5 Dia2″×0.5
Si N >5×1017 Cr Si / Fe N ~2×1018 Zn P >5×1017 尺寸（mm） 25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm 可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底
表面粗糙度 Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子粒显微镜（AFM）检测报告抛光 单面或双面 包装 100级洁净袋，1000级超净室 -
尺寸
尺寸
25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm
可根据客户需求尺寸和晶向定制。
