‌EUV光刻机与DUV光刻机的主要区别体现在以下几个方面‌：

‌光源波长‌：

EUV光刻机使用的光源波长为13.5纳米，属于极紫外线波段，波长极短‌12。
DUV光刻机使用的光源波长通常为193纳米（有时也包括248纳米），属于深紫外线波段，波长相对较长‌12。
‌分辨率与精度‌：

由于EUV的波长更短，其分辨率和精度更高，能够刻画出更精细的晶体管特征，适用于7nm及以下工艺节点的芯片制造‌12。
DUV的分辨率相对较低，但通过多重曝光、浸没式光刻等增强技术，也能在一定程度上提高分辨率，通常用于28nm及以上的工艺节点‌12。
‌工艺复杂度‌：

EUV光刻技术工艺复杂度极高，需要高功率激光产生等离子体发射EUV光，且整个光刻过程必须在真空中进行，对光学系统精度和机械结构要求极高‌23。
DUV光刻技术相对成熟稳定，工艺复杂度较低，主要依赖光的折射原理，特别是浸没式技术来增强分辨率‌23。
‌设备成本‌：

EUV光刻机是目前最昂贵的光刻设备之一，每台成本超过2亿美元，且维护和运营成本也相对较高‌35。
DUV光刻机的设备成本相对较低，更适合大规模生产，尤其在中低端市场具有竞争力‌35。
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