BaGa2GeSe6（硒锗镓钡）简称BGGSe晶体

BaGa₂GeSe₆（硒锗镓钡）简称BGGSe晶体，为三方晶系R3空间群，其具有高的激光损伤阀值、宽的透过范围（0.5~18μm）、适中的双折射（0.08~0.11）、大的非线性系数（d₁₁=23.6pm/V）、化学性质稳定、不需要退火等繁琐后处理以及其表面化学稳定性高、不需要后生长处理、晶体对称性高、易于加工。能使用Nd:YAG激光抽运，在CO和CO₂激光倍频、光学参量振荡产生中远红外激光等红外激光变频方面具有重要的应用潜力。由于BGGSe晶体的低色散性质和高损伤阀值，其在超宽混频和超短脉冲输出方面具有优势。

特点

• 倍频系数是AgGaS₂的6倍
• 不溶于稀酸，化学稳定性好
• 非线性光学效应大
• 远红外范围内透过率高、双折射大
• 激光损伤阈值高
• 透光范围宽
• 不需要退火等繁琐后处理
• 晶体对称性高，易于加工
• 2.5-9μm范围内效率高于ZGP和AgGaSe₂晶体

• 晶系	三方晶系，空间群为R3
  非线性系数	d11=66pm/V
  损伤阈值	110MW/cm2
  晶胞系数	a=9.5967(5)Å，b=9.5967(5)Å，c=8.6712(7)Å，α=β=90°，γ=120°，Z=1
  透光范围	0.5 -18μm
  双折射	0.08-0.11
  熔点	880℃
  定向精度	<+-0.1°
  表面光洁度	20/10 per MIL-O-13830A
  面型	λ/8@632.8nm for T>=1mm
  通光面公差	+0/-0.1mm
  长度公差	±0.1mm
  平行度	30″
  垂直度	10′
  倒边	<0.2mm×45°