掺铌钛酸锶在保留钛酸锶晶体结构的基础上，通过铌掺杂引入自由载流子，具备显著导电性，电阻率范围为 0.001–0.1 Ω·cm，具体数值与铌掺杂浓度（0.01–1.0 wt%）相关。
晶体结构与纯钛酸锶类似，晶向包括 <100>、<110>、<111>，公差为 ±0.5°。
铌与稀土元素（如镧、铈、镱）共掺杂可优化热电性能，通过调控微观结构（如晶界和空位）降低热导率，提升功率因子，在 530–1000 K 温度区间内实现较高热电转换效率
目前我们可以提供掺铌浓度为：0.05％，0.1％，0.5％ 和0.7％的Nb:SrTiO3，
掺铌钛酸锶晶体基片主要性能参数
| Nb:SrTiO3 级别 | A | B | C | D |
| Nb 浓度(wt%) | 1.0 | 0.7 | 0.5 | 0.1 |
| 电阻率 ohm-cm | 0.0035 | 0.0070 | 0.05 | 0.08 |
| 迁移率 cm2/vs | 9.0 | 8.5 | 8.5 | 6.5 |
| 特点 | Nb:SrTiO3与SrTiO3单晶具有相似的结构，但NSTO具有导电性。电阻率范围在0.1~0.001wt%之间不同。传导的单晶基片为薄膜和器件提供了电极。 | |||
| 尺寸 | 10×3，10×5，10×10，15×15，，20×15，20×20， | |||
| Ф15,Ф20，Ф1″， | ||||
| 厚度 | 0.5mm，1.0mm | |||
| 抛光 | 单面或双面 | |||
| 晶向 | ＜100＞ ＜110＞ ＜111＞ | |||
| 晶面定向精度: | ±0.5° | |||
| 边缘定向精度: | 2°（特殊要求可达1°以内） | |||
| 斜切晶片 | 可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片 | |||
| Ra: | ≤5Å（5µm×5µm） | |||
| 包装 | 100级洁净袋，1000级超净室 | |||
我们提供多规格产品，支持定制掺杂浓度、晶向及尺寸，包装采用 100级超净袋或晶盒 以确保洁净度。有需要可以联系网站微信客服咨询（或微信搜索 19885659200 添加微信）。
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