CdZnTe碲化镉晶圆-最有前途的室温辐射探测材料。

铝酸镁钪晶体 CdZnTe碲化镉晶圆-最有前途的室温辐射探测材料。 4032

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CdZnTe

碲锌镉(CdZnTe,CZT)被认为是最有前途的室温辐射探测材料。相比于闪烁体探测器,它的能量和空间分辨率更高,能耐受更大的射线剂量(>1Mcps/mm²),且不易潮解;相比于高纯锗探测器,它可在室温下工作,具有很好的便携性,单位体积的探测效率大于高纯锗;相比于Si探测器,它具有探测能量范围更宽,效率远高于Si等优势。鉴于以上优点,碲锌镉探测器在核安全仪器、安检设备、医疗成像设备、核工业检测设备和天文检测设备中具有广阔的应用前景。
自2007年以来,CdZnTe探测器的性能潜力已经被人们开发出来,其优越性受到广泛关注,被认为是未来的发展重点,已经进入高速发展阶段。

使用/应用

碲锌镉探测器在核安全仪器、安检设备、医疗成像设备、核工业检测设备和天文检测设备中具有广阔的应用前景。

特点/优势

CdZnTe碲化镉晶圆-最有前途的室温辐射探测材料。 相比于闪烁体探测器,它的能量和空间分辨率更高,能耐受更大的射线剂量(>1Mcps/mm²),且不易潮解;
CdZnTe碲化镉晶圆-最有前途的室温辐射探测材料。 相比于高纯锗探测器,它可在室温下工作,具有很好的便携性,单位体积的探测效率大于高纯锗;
CdZnTe碲化镉晶圆-最有前途的室温辐射探测材料。 相比于Si探测器,它具有探测能量范围更宽,效率远高于Si等优势。

  • 参数

    RJC01  CdZnTe衬底

    CdZnTe碲化镉晶圆-最有前途的室温辐射探测材料。

    特点:

    -高平整度;

    -高晶格匹配度;

    -低位错密度;

    -高红外透过率。

    应用:

    -国防;

    -安防;

    -定位;

    -制导。

    性能及参数:

    材料 Cdo.96Zno.04Te
    导电类型 p型
    尺寸 10×10×1mm3,14×14×1.3mm3,25×25×1.3mm³(可定制)
    晶向 <111>、<211>等
    定向及偏差 晶向偏差≤0.3°
    电阻率 >10°Q·cm
    红外透过率 ≥60%(1.5μm~25μm)
    夹杂项直径 ≤10μm
    双晶衍射半峰宽(FWHM) ≤30 rad·s
    腐蚀坑密度
(EPD) 5×104/cm2(111),1×104/cm2(211)
    储存(运输)温度 10℃~40℃
    储存(运输)湿度 
20%~80%(无凝霜)

    RJC02  CdTe衬底

    CdZnTe碲化镉晶圆-最有前途的室温辐射探测材料。

    特点:

    -高平整度;

    -高晶格匹配度。

    应用:

    -外延衬底;

    -蒸发源晶体片;

    性能及参数:

    材料 碲化镉(CdTe)
    导电类型 p型
    尺寸 5.0×5.0×1.0mm³,10.0×5.0×1.0mm³,10.0×10.0×1.0mm³(可定制)
    晶向 <111>、<110>、<100>等
    定向及偏差 晶向偏差≤0.3°
    电阻率 >10°Q·cm
    储存(运输)温度 10℃~40℃
    储存(运输)湿度 
20%~80%(无凝霜)

    III-V族半导体材料重要成员——磷化铟(InP)

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