晶圆、碳化硅衬底专业生产：供应 4H-N/6H-N,4H/6H-P,SEMI,HPSI,3C 碳化硅衬底材料
我们核心产品之一的4H-N型碳化硅衬底，该产品具有优异的电学性能和高纯度，广泛应用于电力电子、射频通信、光电子等领域。4H-N型碳化硅衬底采用先进的生产工艺，包括原料制备、晶体生长、切割加工等关键步骤，确保产品具有高度的均匀性和稳定性。
碳化硅衬底生产
原料制备:在半导体材料的生产过程中，原料的纯度是至关重要的。
为了确保最终产品的质量和性能，我们精选高纯度的原料作为起始点。
这些原料通常来源于经过严格筛选和提纯的矿物或化合物，以确保其化学成分的纯净和稳定。
在原料制备阶段，我们采用一系列严格的化学处理步骤来进一步提纯这些原料。
这些步骤可能包括溶解、沉淀、过滤、洗涤和干燥等，旨在去除任何可能存在的杂质和污染物。
晶体生长：
晶体生长是半导体材料生产中的核心环节之一。
我们采用国际领先水平的晶体生长技术，通过精确控制生长环境参数，如温度、压力、气氛和溶液浓度等，来确保晶体生长过程中的低缺陷率和高结晶质量。
在晶体生长过程中，我们利用先进的生长设备和工艺，如提拉法、坩埚下降法或气相外延法等，来引导和控制晶体的生长。
这些设备和工艺能够精确地控制晶体的生长速率、形状和尺寸，以及晶体的内部结构和缺陷分布。
切割加工：
我们采用高精度切割和加工设备来对晶体进行精细加工。
这些设备通常配备有先进的控制系统和传感器，能够精确地控制切割和加工过程中的各种参数，如切割速度、进给量和切削深度等。
通过精确控制这些参数，我们能够确保每一块衬底都符合客户要求的尺寸和表面平整度。
在切割加工过程中，我们还采用了一系列先进的工艺和技术来确保产品的质量和性能。
例如，我们可能采用化学机械抛光（CMP）技术来对衬底表面进行精细抛光，以去除任何可能存在的划痕、污染和缺陷。此外，我们还可能采用离子注入或激光刻蚀等技术来对衬底进行微加工或图案化处理，以满足客户的特殊需求。
碳化硅衬底参数
| 规格参数Property | 2 inch | 3inch | 4inch | 6inch | 8inch | ||||
| 类型 Type |
4H-N/HPSI/4H-SEMI, 6H-N/6H-SEMI; |
4H-N/HPSI/4H-SEMI | 4H-N/HPSI/4H-SEMI | 4H-N/HPSI/4H-SEMI | 4H-N/HPSI/4H-SEMI | ||||
| 直径 Diameter |
50.8 ± 0.3 mm | 76.2±0.3mm | 100±0.3mm | 150±0.3mm | 200 ± 0.3 mm | ||||
| 厚度Thickness | 330 ± 25 um | 350 ±25 um | 350 ±25 um | 350 ±25 um | 350 ±25 um | ||||
| 350±25um； | 500±25um | 500±25um | 500±25um | 500±25um | |||||
| or customized | or customized | or customized | or customized | or customized | |||||
| 粗糙度Roughness | Ra ≤ 0.2nm | Ra ≤ 0.2nm | Ra ≤ 0.2nm | Ra ≤ 0.2nm | Ra ≤ 0.2nm | ||||
| 翘曲度 Warp |
≤ 30um | ≤ 30um | ≤ 30um | ≤ 30um | ≤45um | ||||
| 总厚度偏差TTV | ≤ 10um | ≤ 10um | ≤ 10um | ≤ 10um | ≤ 10um | ||||
| 表面质Scratch/Dig | CMP/MP | ||||||||
| MPD | <1ea/cm-2 | <1ea/cm-2 | <1ea/cm-2 | <1ea/cm-2 | <1ea/cm-2 | ||||
| 形状 Shape |
圆形, 带定位边 Round, Flat 16mm；OF length 22mm ; OF Length 30/32.5mm; OF Length47.5mm; NOTCH; NOTCH; |
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| 倒边 Bevel |
45°, SEMI Spec; C Shape | ||||||||
| 级别 Grade |
Production grade for MOS&SBD; Research grade ; Dummy grade ,Seed wafer Grade | ||||||||
| 备注 Remarks |
直径，厚度,晶向，可定制 Diameter, Thickness, Orientation, specifications above can be customized upon your request |
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碳化硅衬底供应
专注于高端碳化硅（SiC）衬底材料的研发与生产，能够稳定供应多种类型的碳化硅衬底，以满足不同客户群体的多样化需求。
我们的产品线涵盖了4H-N型、6H-N型、4H/6H-P型、SEMI标准型、HPSI（高纯度单晶衬底）以及3C（立方碳化硅）等多种碳化硅衬底材料。
能够稳定供应多种类型的碳化硅衬底材料，以优质的产品和服务满足客户的多样化需求。我们期待与各界合作伙伴携手共进，共同推动碳化硅材料产业的发展。
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