​​​​2~ 8″ N-tybe SiC substrate

碳化硅（ SiC ）是一种性能优越的新型化合物半导体材料。碳化硅半导体具有大禁带宽度（约为硅的3倍）、高临界场强（约为硅的10倍）、高热导率（约为硅的3倍）等优良特性，是制作高温、高频和大功率电力电子器件（电力芯片）的理想半导体材料。同时，也是仅次于钻石的优良的半导体材料。

技术优势
晶体利用率高，成本低  品质达到P-MOS级
采用PVT长晶法
籽晶粘结成功率接近100% 
平均生长速度0.13-0.16mm/h 
长晶良率高于行业水平
加工良率达到90%
有效的降低了单片成本。
SiC 晶锭一致性非常优秀  
晶片表面粗糙度0.075纳米
位错缺陷达到MOSFET功率器件要求

第三代半导体材料可以满足现代社会对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等新要求，且其拥有体积小、污染少、运行损耗低等经济和环保效益，因此第三代半导体材料正逐步成为发展的重心。当前主流的第三代半导体材料为碳化硅与氮化硅，前者多用于高压场合如智能电网、轨道交通；后者则在高频领域有更大的应用（5G等）。

        目前我们提供标准的N型碳化硅衬底晶片。用于肖特基二极管（ SBD )、金属氧化物半导体场效应晶体管（ MOSFET )、结型场效应晶体管（ JFET ）和双极结型晶体管（ BJT ）的制作。这些电力电子器件可广泛应用于包括 太阳能逆变器、风力发电储能、混合动力、电动汽车、充电桩、智能电网、家用电器等绿色能源和节能系统。

                 6英寸N型导电型碳化硅衬底规范书