公司是国内专业生产蓝宝石晶体,碳化硅单晶,单晶硅片,以及InP,ZnSe窗口,锗窗口材料等。公司拥有自己的工厂分别位于江苏无锡和湖北武汉,是国内较早专业提供半导体晶圆的公司。
其中,单晶硅产品主要包括:2寸、4寸、6寸、8寸、12寸等尺寸齐全,P型、N型,晶向110,111,能够满足不同客户用途的需求。科大量现货供应。部分产品的参数表如下:
产品规格书 Product Spec.
产品名称/ Product | 4 英寸单抛硅片 | 版本 | A |
规格号 /Spe. No. | JX-2019-05-13-06 | 编制日期 /Date | 2019-05-13 |
项目/ Exam Item | 规格/Spec. | 备注/ Remark | |
1.1 晶体参数 Cryscal | |||
拉晶方式/ Growth method | CZ | / | |
晶向及偏离度/ Orientation | <100>/<110> | / | |
1.2 电学参数 Electrical | |||
型号 / Type | /P | / | |
掺杂剂 /Doping | /B | / | |
电阻率 Resistivity (ohm-cm) | 见硅片外包装标注值电阻率判定标准:中心点 | ||
电阻率径向变化 Resistivity
variation (%) |
15% | 测试方法:国标 B方案
计算公式:(Pmax-Pmin)/Pmin |
|
寿命 / Minority-Carrier
Lifetime (us) |
/ | / | |
1.3 结构参数 Structural | |||
位错密度 Dislocation Density
(ea/cm2) |
无 free | / | |
微缺陷 | 无 free | / | |
氧含量 Oxygen Conc. (atm/cm3) | 8.00E+17 | / | |
氧的径向梯度 | / | / | |
碳含量 Carbon Conc. (atm/cm3) | 5.00E+16 | / | |
1.4 机械参数 Mechanical | |||
直径及公差/ Diameter (mm) | 100±0.2 | / | |
主参考面
Primary Flat |
方向 Orientation (deg) | / | |
长度 length (mm) | / | ||
副参考面
Secondary Flat |
方向 Orientation (deg) | / | |
长度 length (mm) | / | ||
倒角
Edge profile |
半角 half angle (Deg) | 22±1° | |
边缘类型 /Type | 标准倒角 | ||
厚度 Thickness (um) | 见硅片外包装标注值 | / | |
弯曲度 Bow (um) | <30 | / | |
翘曲度 Warp (um) | <30 | / | |
总厚度变化 TTV (um) | <10 | / | |
总平整度 TIR (um) | <10 | / | |
局部平整度
STIR(um)(15mm*15mm) |
<3 | / |
什么是半导体硅片
硅片又称硅晶圆片, 是制作集成电路的重要材料,通过对硅片进行光刻、离子注入等手 段,可以制成集成电路和各种半导体器件。硅片是以硅为材料制造的片状物体,直径有 6英寸、 8 英寸、 12 英寸、18英寸等规格。单晶硅是硅的单晶体,是一种比较活泼的非金属元素,具有基本完整的点阵结构。不同的方向具有不同的性质,是一种良好的半导材料。纯度要求达到 99.9999%,甚至达到 99.9999999%,杂质的含量降到 10-9的水平。采用西门子法可以制备高纯多晶硅,然后以多晶硅为原料,采用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长 出棒状单晶硅。单晶硅圆片按其直径主要分为 6 英寸、 8 英寸、 12 英寸及 18 英寸等。
半导体材料分为晶圆制造材料和封装材料。晶圆制造材料可以进一步细 分为硅片及硅基材料、光掩模板、电子气体、光刻胶、光刻胶辅助材料、 CMP 抛光材料、工艺化学品、靶材及其他材料。而封装材料可以进一步 细分为封装基板、引线框架、键合丝、包封材料、陶瓷基板、芯片粘结 材料和其他封装材料。
半导体硅片是全球应用最广泛、最重要的半导体基础材料,是制造芯片的基本衬底材料,也是唯一贯穿各道芯片前道制程的半导体材料,目前全球半导体市场中,90%以上的芯片和传感器都是基于硅材料制造而成,其在晶圆制造材料中占比**。
《“1~12inch 单晶硅片”》 有 1 条评论
1-12寸单晶硅片生产厂家-上海鑫科汇新材料有限公司。提供各种规格硅片、氮化硅片、蓝宝石衬底等。咨询电话:19885659200.微信:1737309048