锗片的晶向（Crystal Orientation）指的是锗晶体中晶面的方向。晶向是晶体学中的一个重要概念，用于描述晶体内部原子排列的方向性。对于锗片（或其他半导体材料），晶向的选择会直接影响其物理、电学和光学性能。
晶向的表示方法
晶向通常用密勒指数（Miller Indices）表示，例如：
(100)：表示晶体的[100]方向。
(111)：表示晶体的[111]方向。
(110)：表示晶体的[110]方向。
这些指数表示晶体中原子排列的特定平面或方向。
锗片晶向的意义
电学性能：
不同晶向的锗片在电学性能上可能有差异，例如载流子迁移率、导电性等。
在半导体器件制造中，晶向的选择会影响器件的性能和工艺。
光学性能：
锗片常用于红外光学领域，不同晶向可能对光的折射、反射等特性产生影响。
机械性能：
不同晶向的锗片在切割、抛光等加工过程中表现出的硬度和脆性可能不同。
工艺兼容性：
在半导体工艺中，某些晶向更容易实现高质量的薄膜生长或刻蚀。
常见的锗片晶向
(100)：常用于半导体器件制造，适合外延生长。
(111)：在某些光学和半导体应用中也有使用。
(110)：较少见，但在特定研究或应用中可能会用到。
锗片 外观 20/10″ 中的 “20/10″ 通常指锗片的表面质量等级，具体含义如下：
20：表示每平方英寸内最大允许的划痕长度总和为20毫米。
10：表示每平方英寸内最大允许的瑕疵（如麻点、凹坑等）数量为10个。
这种分级常见于光学元件，数字越小，表面质量越高。因此，”20/10” 表示该锗片的表面质量较好，适合对表面要求较高的应用。
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