锗片的晶向(Crystal Orientation)指的是锗晶体中晶面的方向。晶向是晶体学中的一个重要概念,用于描述晶体内部原子排列的方向性。对于锗片(或其他半导体材料),晶向的选择会直接影响其物理、电学和光学性能。
晶向的表示方法
晶向通常用密勒指数(Miller Indices)表示,例如:
(100):表示晶体的[100]方向。
(111):表示晶体的[111]方向。
(110):表示晶体的[110]方向。
这些指数表示晶体中原子排列的特定平面或方向。
锗片晶向的意义
电学性能:
不同晶向的锗片在电学性能上可能有差异,例如载流子迁移率、导电性等。
在半导体器件制造中,晶向的选择会影响器件的性能和工艺。
光学性能:
锗片常用于红外光学领域,不同晶向可能对光的折射、反射等特性产生影响。
机械性能:
不同晶向的锗片在切割、抛光等加工过程中表现出的硬度和脆性可能不同。
工艺兼容性:
在半导体工艺中,某些晶向更容易实现高质量的薄膜生长或刻蚀。
常见的锗片晶向
(100):常用于半导体器件制造,适合外延生长。
(111):在某些光学和半导体应用中也有使用。
(110):较少见,但在特定研究或应用中可能会用到。
锗片 外观 20/10″ 中的 “20/10″ 通常指锗片的表面质量等级,具体含义如下:
20:表示每平方英寸内最大允许的划痕长度总和为20毫米。
10:表示每平方英寸内最大允许的瑕疵(如麻点、凹坑等)数量为10个。
这种分级常见于光学元件,数字越小,表面质量越高。因此,”20/10” 表示该锗片的表面质量较好,适合对表面要求较高的应用。
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