碳化硅半绝缘晶锭（宝石）是一种具有特定电学性能和晶体结构的碳化硅材料，主要用于制作半导体器件的衬底‌。

碳化硅半绝缘晶锭具有多种晶体结构，如3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC和15R-SiC等，每种晶型的结构特性和电子性能有所不同‌1。其中，4H-SiC和6H-SiC因其较高的电子迁移率、热稳定性和禁带宽度，在高温、高频电子器件中有广泛应用‌1。半绝缘型碳化硅晶锭经过切割、研磨、抛光等工序加工后，可制成单晶薄片，作为半导体器件的衬底材料‌2。

此外，碳化硅半绝缘晶锭还具有高出传统硅数倍的禁带宽度、漂移速度、击穿电压、热导率等优良特性，在高温、高压、高频、大功率等电子应用领域和航天、军工等极端环境应用中有着不可替代的优势‌3。近年来，随着碳化硅材料技术的不断发展，大尺寸的碳化硅半绝缘晶锭也已成功研制出，如12英寸（300mm）的高纯半绝缘碳化硅单晶衬底，这将进一步拓展碳化硅材料的应用场景‌。

综上所述，碳化硅半绝缘晶锭是一种高性能的半导体材料，在电子器件制造中具有重要地位。

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