以 InAs 单晶为衬底可以生长 InAsSb/In－AsPSb,InNAsSb等异质结材料,制作波长 2～14μm的红外发光器件，用 InAs单晶衬底还可以外延生长AlGaSb超晶格结构材料 ,制作中红外量子级联激光器。.这些红外器件在气体监测、低损耗光纤通信等领域有良好的应用前景.此外, InAs 单晶具有很高的电子迁移率 ,是一种制作 Hall 器件的理想材料。作为单晶衬底 , InAs 材料需要具备低的位错密度、 良好的晶格完整性、 合适的电学参数和较高的均匀性. InP单晶材料的主要生长方法是传统液封直拉技术（LEC）。
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晶体
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结构
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晶向
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熔点
oC
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密度
g/cm3
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禁带宽度
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InAs
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立方,
a=6.058 A
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<100>
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942
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5.66
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0.45
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砷化铟(InAs)单晶基片主要性能参数
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单晶
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掺杂
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导电类型
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载流子浓度
cm-3
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迁移率(cm2/V.s)
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位错密度(cm-2)
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标准基片
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InAs
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本征
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N
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5*1016
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2*104
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<5*104
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Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm
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InAs
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Sn
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N
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(5-20)*1017
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>2000
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<5*104
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Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm
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InAs
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Zn
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P
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(1-20) *1017
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100-300
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<5*104
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Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm
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InAs
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S
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N
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(1-10)*1017
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>2000
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<5*104
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Φ2″×0.5mm
Φ3″×0.5mm
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尺寸（mm）
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Dia50.8×0.5mm,10×10×0.5mm、10×5×0.5mm可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底
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表面粗糙度
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Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子粒显微镜（AFM）检测报告 |
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抛光
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单面或双面
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包装
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100级洁净袋，1000级超净室
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