氧化镓(β-Ga₂O₃)晶体

β-Ga₂O₃单晶是一种新型直接带隙超宽禁带半导体，相比于其它第三代半导体SiC和GaN，它具有禁带宽度更大（4.9eV）、吸收截止边更短、生长成本更低等突出优点。其巴利加优值(εμE_g³，相对于Si)高达3214.1，大约是SiC的10倍，GaN的4倍。这就意味着：使用β-Ga₂O₃研制的器件将具有更小导通损耗和更高的功率转换效率，在高压、高功率器件中具有良好的应用前景。

β-Ga₂O₃在日盲紫外（200~280 nm）探测领域也有着广阔的应用前景。氧化镓的禁带宽度为4.8-4.9 eV，对应吸收带边位于250 nm左右，无须类似于AlGaN、ZnMgO的合金化工艺，是制作日盲紫外探测器的理想材料。相对于传统的可见光和红外探测，日盲紫外探测具有背景噪声低、灵敏度高、抗干扰能力强的固有优势，能有效降低虚警率，减少信号处理难度，可用于导弹逼近预警、卫星通信、各种环境监测、海上搜救、无人机自动着舰导引、化学生物探测等诸多领域。

氧化镓(β-Ga₂O₃)晶体化学性质稳定，不易被腐蚀，机械强度高，高温下性能稳定，有高的可见光和紫外的透明度，尤其是其在紫外和蓝光区域透明，这是传统的透明导电材料所不具备的，因此β-Ga₂O₃单晶可以成为新一代透明导电材料，在太阳能电池、平板显示技术上得到应用。β-Ga₂O₃单晶的电导率会随周围环境的变化而改变，可以应用在气体探测技术上。

基本性质

晶体结构	单斜
晶格常数	a=12.23A, b=3.04A, c=5.80A
熔点	1740℃
相对介电常数	10
导热率	11W/m/℃ at 25℃<100> 27W/m/℃ at 25℃<010>
击穿场强	8 MV/cm
迁移率	300 cm2/Vs（理论值）
带隙	4.8~4.9 eV

目前主要技术指标：

1、毛坯尺寸规格：100mm×50mm×5mm（导模法生长）

2、XRD双晶摇摆半高宽：27″

3、位错密度：3×10⁴/cm²

4、表面加工粗糙度：0.2nm

5、电阻率调控：5×10^-3 ~ 10⁹Ω·cm

目前批量产品供货信息：

晶面	尺寸规格	技术指标
(010)	10mm×10mm×1mm	FWHM<150” 单面抛光，RMS<0.5nm 位错密度：5×104/cm2 晶面偏差<1°
	10mm×10mm×0.5mm
	5mm×5mm×1mm
	5mm×5mm×0.5mm
(100)	10mm×10mm×1mm	FWHM<100” 单面抛光，RMS<0.5nm 位错密度：5×104/cm2 晶面偏差<30’ 电阻率调控：5×10-3 ~ 109Ω·cm
	10mm×10mm×0.5mm
	5mm×5mm×1mm
	5mm×5mm×0.5mm

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