晶圆制造中的关键步骤主要包括以下几个：

‌硅锭生长‌：将高纯度多晶硅通过化学反应提纯，在单晶炉中熔化，然后通过直拉法或悬浮区熔法生长成单晶硅锭。此过程需精确控制温度和速度‌1。

‌硅锭检测‌：对生长完成的硅锭进行严格质量检测，包括微观缺陷检查和电学性能测试，确保其符合后续加工要求‌1。

‌晶圆切割‌：将合格的硅锭进行切割，得到规定规格的晶圆片。切割技术包括机械切割和激光切割‌12。

‌晶圆加工‌：对切割后的晶圆片进行边缘修整、表面抛光等处理，提高其平整度和光洁度‌1。

‌晶圆清洗‌：彻底清除晶圆表面的污染物和有机物，保证后续加工质量。清洗方法包括物理清洗、化学清洗和超纯水清洗‌1。

‌氧化与扩散‌：在高温下，晶圆表面形成二氧化硅薄膜，并通过扩散工艺将掺杂元素引入硅晶体，改变其导电性质‌1。

这些步骤共同构成了晶圆制造的核心流程，每一步都至关重要，直接影响着最终芯片的性能和可靠性。