检测砷化镓晶圆中的杂质元素，可以通过以下方法进行：

‌首先，可以采用ICP-OES（电感耦合等离子体发射光谱）分析法‌。这种方法适用于高纯度镓（Ga）中的杂质检测，由于砷化镓半导体中的镓是其主要原料，因此这种方法同样适用于检测砷化镓晶圆中的杂质元素‌1。

‌其次，可以利用专业的检测设备进行成分分析‌。这包括使用能谱仪、质谱仪等设备，对晶圆上的颗粒或特定区域进行化学成分分析，以确定杂质元素的种类和含量。这种分析可以确保对杂质元素的准确检测‌2。

‌此外，还可以采用其他化学或物理方法‌。例如，通过特定的化学溶解和萃取过程，富集并分离出杂质元素，然后进行进一步的测定。或者利用电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）等高精度技术，对砷化镓晶圆中的杂质元素进行定量检测‌3。

综上所述，检测砷化镓晶圆中的杂质元素需要综合运用多种方法和技术，包括ICP-OES分析法、专业设备成分分析以及其他化学或物理方法，以确保对杂质元素的准确、全面检测。