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PZT晶圆-压电晶圆锆钛酸铅晶圆
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2-6寸高纯半绝缘型碳化硅单晶衬底
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半绝缘型碳化硅单晶衬底
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A-R-M特殊晶向蓝宝石衬底
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氮化镓(GaN)主要是由人工合成的一种半导体材料,禁带宽度大于 2.3eV,它能在更高的温度、电压等条件下稳定工作,并且具有更高的电子迁移率和饱和电子速度等优异的电学性能。


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公司旗下拥有两个生产基地和一个商务中心,即湖北武汉生产基地,浙江无锡生产基地,以及上海青浦万达茂商务接待中心。硅片产能为等效6英寸3万片/月,玻璃晶圆产能为等效8英寸1万片/月,同时公司与国内多个供货厂家保持良好的合作关系,能够满足大产量需求。